浅谈卡脖子之一光刻机

　　光刻机在集成电路中有着重要的作用，尤其是高端光刻机。集成电路产业是信息技术产业的核心，集成电路的应用无处不在。是现代工业的粮食，是物联网、大数据、云计算等新一代信息产业的基石。
　　光刻机是集成电路IC，芯片制造的核心装备，它决定了IC的性能CPU的运行速度、存储器的容量等。
　　光刻机的功能：在照明系统形成的特定照明光瞳、偏振模式与照明光场照明下，掩模图形通过投影物镜被准确成像于硅片面制定位置的光刻胶层上，即实现IC图形的曝光复制。
　　光刻机的核心指标：
　　光刻分辨率：与曝光光源、照明系统、投影物镜等有关
　　套刻精度：与照明系统、投影物镜、掩模台工件台有关
　　产率（良率）：与激光器功率、照明系统透过率、掩模台工件台运动速度有关
　　目前制造IC的主流光刻机（IC光刻机）是采用紫外汞灯（波长：365nm）、深紫外准分子激光器（248nmKrF激光器、193nmArF激光器）与极紫外光源（波长：13。5nmEUV光源）的步进扫描投影光刻机；随着曝光波长的缩短，光刻机的光刻分辨率逐步提高
　　。在Moore定律驱动下，IC的分辨率越来越高，单位像素生产成本越来越低，还需要不断引入新的光刻技术：缩短曝光波长、提高NA、采用分辨率增强技术。
　　摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登。摩尔（GordonMoore）于1965年首次提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔1824个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔1824个月翻一倍以上。这一定律揭示了信息技术进度的速度。
　　目前高端光刻机及其部件相关技术仅被少数国外公司（ASMLZeissCymerNikonCanon）掌握，并对我国实行严格的技术封锁，是卡脖子技术。在激烈的技术与市场竞争中，荷兰ASML公司的产品独占鳌头，其销售份额在全球占80以上，Nikon、Canon逐步退出高端IC光刻机市场，转而发展先进封装、MEMS、显示器光刻机市场。
　　ASML公司目前生产与销售的主要光刻机型号
　　汞灯i线：365nm
　　KrF准分子激光器：248nm
　　ArF准分子激光器：193nm
　　EUV光源：13。5nm
　　ASML公司193nm浸没式光刻机采用ArF准分子激光器作为曝光光源的浸没式光刻机从XT：1700i、XT：1900i、NXT：1950i、NXT：1960i、NXT：1970i、NXT：1980i、
　　NXT：2000，一直发展到NXT：2050i，以及未来的NXT：2100i。。，其性能不断提高，光刻分辨率从45nm推进到38nm、28nm、22nm、16nm、7nm，甚至5nm，显示出强大的生命力。
　　光刻机及其部件技术仅被少数国外公司（ASMLZeissCymer、Nikon）所垄断，且对我国严格封锁，是卡脖子技术；
　　装备投资是IC生产线的主要投资，资金占比超过70，而光刻机占20以上
　　1条28nm产线投资额为50亿美元，1条20nm产线投资额为100亿美元
　　那么IC光刻机和曝光机有什么区别：
　　除了IC光刻机外，还有基于其他工作原理的光刻机（曝光机），如3D结构直写光刻机，本人建议把名称改为3D结构直写曝光机。这与大家熟知的IC制造光刻机完全不同，直写曝光机主要用于微纳光电子器件等非IC器件（泛半导体）的制造。
　　直写曝光机主要基于聚焦激光直写、双光束干涉直写、全息曝光等曝光技术而不是基于从掩模到硅片面的投影成像技术，与IC光刻机完全不同；主要用于微纳结构光电子器件等非IC芯片（泛半导体）的图形曝光，不适合规模化要求极高的IC量产制造。
　　直写曝光机与IC光刻机相比存在多项显而易见的劣势：
　　分辨率低即使采用超分辨技术最高也只能达到百nm几十nm量级光刻分辨率；
　　套刻精度低不适合多层图形曝光；
　　产率低采用单个或多个聚焦激光束扫描曝光，速度低（不是大面积图形的曝光复制）；
　　成品率低曝光所得图形质量低，如图形边缘粗糙度大、侧壁陡度小、缺陷多，不满足IC制造中后续刻蚀等工艺的要求。
　　我国光刻机发展情况：
　　我们知道，芯片被誉为信息产业的基石、现代工业的粮食，芯片及其制造技术、装备是中美贸易摩擦的首要目标。
　　目前我国是芯片用量大国，但高度依赖进口，约为石油进口额的2倍。
　　2020年，芯片3500。4亿美元，石油1763。2亿美元，铁矿石1189。4亿美元
　　2020年，我国芯片自给率约为15。9，而总部位于中国企业生产的芯片价值占比仅为5。7，发展空间巨大。