中国光刻机的起步，落后，追赶的历史

　　当今荷兰ASML完全垄断10纳米以下光刻机市场。其EUV光刻机有10万个零件，重180吨，包含13个系统。5000多个供应商荷兰本土约1600个，占比32；北美和亚洲1350个，各27。
　　美国垄断着其极紫外光源等核心部件。所以美国可以禁止出口中国。也禁止使用美国技术的台积电为大陆代工，导致华为已经领先美国高通和苹果的5G手机芯片生产卡然而止。
　　面对卡脖子设备，上海微电，中国电科正在突破DUV光刻机，而长春光机所主攻最高端的EUV光刻机。
　　我国光刻机曾经离世界先进水平并不遥远：
　　1961年，美国制造出了第一台接触式光刻机。1974年美国推出世界首台投影式光刻机。摩托罗拉接触式光刻6800微处理器295美金，MOS科技用投影式光刻作出的性能飞跃都芯片价格仅25美元。技术代差，降维打击。
　　1977年，我国最早的光刻机GK1型半自动光刻机诞生。1979年上海元件五厂和无线电十四厂甚至成功仿制英特尔公司1974年推出的8080CPU，比德国仿制成功还早一年。
　　1978年，美国推出步进式光刻机DSW4800。
　　1982年科学院109厂的步进式KHA751光刻机，跟当时最先进的日本佳能差不到4年。
　　1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机。在分步光刻机上与美国最新的DSW4800的差距7年。
　　年代底，中国开始奉行的造不如买的政策，以联想为代表的企业纷纷以贸工技为指导思想。抛却独立自主方针，购买外国产品赚快钱。
　　中国的集成电路在科研，教育以及产业方面出现了脱节，中国独立的科研和产业体系被打断，研发方面是单打独斗，科研成果转化成产品的微乎其微。中国半导体在五十年代到七十年代创造的盛景成了泡沫。
　　九十年代，光刻光源已被卡在193纳米无法进步长达20年，难点2002年被台积电的林本坚博士所攻破，他在一次研讨会上提出了浸入式193nm的方案，最终通过获得成功。
　　2002年，上海微电子装备有限公司承担了十五光刻机攻关项目，中电科45所把此前从事分步投影光刻机的团队迁到了上海，参与这个项目。至2016年，上海微电子已经量产90纳米、110纳米和280纳米三种光刻机，其中性能最好的是90nm光刻机。
　　2017年6月21日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头研发的极紫外光刻关键技术通过验收。
　　2018年11月29日，中科院研制的超分辨光刻装备通过验收。光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。
　　在2022年的第一季度当中，阿斯麦一共销售的62台光刻机设备中，中国大陆的占比为34。DUV深紫外光刻机已经放开。这说明，中国自己的DUV量产在即。
　　EUV，依然任重道远。
　　加油，中国。