云南大学传来喜讯！突破芯片新材料，或将延续摩尔定律

　　5G技术的突破使得全球掀起一轮半导体领域研究新热潮，各大芯片制造巨头纷纷寻求突破更高端的芯片技术。虽然我国芯片制造设备受限，但云南大学目前突破了一种新型芯片材料，可以弥补石墨烯硅基芯片的不足，那么和台积电1nm半金属铋芯片相比，其性能如何呢？
　　硅基芯片将达到极限
　　自第一个半导体从美国贝尔实验室诞生以来，伴随着互联网的更新迭代，芯片一直是全球的研究热点。但正所谓万变不离其宗，在这些变革中，硅基芯片一直是众多新生代芯片的基础，而英特尔创始人曾指出，硅基芯片遵循摩尔定律。
　　这条定律是指，集成电路芯片上晶体管的数量每隔18个月翻倍一次。也就是说，同样的价格在现在所能买到的计算机性能，在18个月后将会翻两倍，而芯片晶体管数量决定计算机性能，由此可见芯片制程提升之快。
　　张忠谋在1998年就说过，不只是过去的30年，未来10到15年内摩尔定律仍然是适用的。但是目前半导体行业芯片制程已经由28nm、14nm，发展到了7nm，在未来甚至可能突破5nm、3nm，而再精进的芯片制程也无法突破芯片硅材料本身的物理极限，所以寻找新型芯片材料将是半导体领域的研究方向。
　　云南大学破冰芯片新材料
　　尽管中国很多科技型企业受到美国打压和制裁，但这反而让国内意识到独立自主研发的重要性，近期也传来很多好消息。继中科院研发石墨烯晶圆并突破28nm制程光刻机技术，华为海思发布双芯叠加技术后，消息称云南大学突破一种芯片新材料。
　　其实云南大学材料与能源学院在去年6月，就已经成功突破硫化铂和石墨烯融合，并且成功解决了相关物理问题，优化了两种材料的融合工艺。从综合性能来看，硫化铂是优于石墨烯和单晶硅的，很有可能成为将来我国芯片代工领域媲美国外的关键材料。
　　硫化铂性能优异，或延续摩尔定律
　　单一的石墨烯晶体管导电性和热塑性高于硅基晶体管，所以运行速度可以达到硅基晶体管的510倍之多，但是碳纳米管内部杂质多，并且本身的导电性也不弱，导致它很难提纯并且很难保持稳定。
　　而硫化铂恰好可以弥补石墨烯晶圆管的不足，硫化铂不仅拥有较宽的能量间隙和高的架空性，在光、电和磁方面表现也很出色。最重要的是，硫化铂内部结构稳定性较好，并且杂质较少，很有可能成功延续摩尔定律
　　虽然台积电曾联合台大，麻省理工通过半金属铋元素突破了1nm，并表示有望投入1nm制程芯片的真正生产，但是目前还没有消息称该计划成功实施。可见硅基芯片尖端制程芯片研发不是一件易事，而云南大学的研究成果给中国半导体未来发展指明了一条新方向，相信将来国产芯片可以实现真正独立自主研发，新材料芯片能够占据广阔的市场！