中国三大领域实现突破，国产芯开始爆发了

　　头条创作挑战赛
　　芯片产业链的范围是非常广的，从设计芯片到落地销售，几乎每一个环节背后都有庞大的产业链供应商在参与其中，可以细分到材料和设备等等领域。
　　而要想打造完善的芯片产业链，就需要在各个领域内实现布局。好消息是，中国芯片在三大领域实现了突破，都有怎样的突破表现呢？中国芯片如何向前？
　　中国芯片破冰
　　一颗芯片的背后是产值千亿美元的半导体供应链，需要调动全球上千家厂商参与其中。根据种类的不同，在设备方面就有光刻机、刻蚀机、离子注入机、清洗机等等。
　　这些设备会在芯片制造的过程中提供必要支持，保障生产。除了设备，惰性气体，光刻胶这些材料也是不可或缺的，产生的化学反应能稳定芯片生产。而中国在半导体的三大领域实现突破，具体表现如何呢？
　　首先第一项突破是第三代半导体氮化镓。
　　传统的芯片制造路径面临摩尔定律极限的问题，如果无法突破摩尔定律，那么在物理规则的极限面前，将很难再进一步，哪怕是微不足道的进步也需要成倍的努力。
　　所以有些厂商考虑换道出发，更改材料去探索前路。比如使用第三代半导体材料氮化镓（GaN）或者碳化硅（SiC）作为芯片制造的基础。
　　这些第三代半导体材料有更好的耐高温、耐高压、大功率等特性。市面上的芯片大部分都是以第一代半导体材料硅为主，制成硅基芯片。而国产厂商英诺赛科是国内领先的硅基氮化镓制造商，因为氮化镓半导体产业不属于先进工艺，所以对于高端制程设备的依赖会更小。
　　英诺赛科已经在国内建成多座8英寸硅基氮化镓生产线。另外，由于第三代半导体材料备受市场关注，所以英诺赛科获得了不少融资，在D轮融资中得到30亿元的融资规模。
　　氮化镓材料还处于起步阶段，虽然相比硅材料的市场占有率仍存在差距，但以碳化硅，氮化镓为代表的第三代半导体材料市场份额已经在逐步上升了。在应用潜力方面，这些芯片材料可以用于新能源汽车，充电器等等。
　　其次第二项突破是光子芯片。
　　芯片材料决定了性能和功耗表现，硅基材料生产出来的电子芯片产品对架构，高端半导体设备有很大的依赖。到了5nm的程度，还必须使用EUV光刻机。
　　全球只有台积电和三星能生产出5nm的电子芯片，因为成本和技术的缘故，让玩家非常少。更重要的是，电子芯片制程越往下越难突破。
　　但业内正在探索的光子芯片就不一样了，一方面光子芯片有更快的传输速率，另一方面光子芯片制程结构更简单。所以光子芯片的优势是很明显的，哪怕制程低一些，凭借更快的传输速率也能达到和高端电子芯片相近的效果。
　　技术门槛降低之后，对掌握核心技术会更有利。在光子芯片产业链中国实现了突破，国产厂商已经在筹备国内首条多材料，跨尺寸的光子芯片生产线了，一旦建成，对各行各业的发展都有重要意义。
　　另外第三个突破是光刻胶材料。
　　芯片在光刻过程中，是需要光刻胶材料支持的，如果没有光刻胶，那么芯片线路图就无法通过光刻机曝光在晶圆上。虽然光刻胶的市场规模不如光刻机设备，却能起到四两拨千斤的效果。
　　首先要明白光刻胶材料的作用是保护晶圆衬底，当光刻机进行曝光时，光刻胶在化学反应下会对芯片线路进行显影。后续再通过刻蚀机把芯片线路给雕刻出来。
　　一直以来，高端光刻胶材料核心技术都是被日本把持着，但国产厂商也在持续深耕光刻胶技术，包括上海新阳、南大光电、晶瑞电材、徐州博康等等都是国产光刻胶产业链的重要成员。
　　其中上海新阳的ArF光刻胶正在进行客户认证，晶瑞电材打算在年底前批量出货KrF光刻胶，其它国产厂商也有不同的进展。这些进展突破会丰富国产光刻胶产业链，夯实基础。
　　国产芯片开始爆发了，第三代半导体的探索，还有光子芯片，光刻胶材料等等都有相应的进展突破。
　　这也告诉我们，中国芯片该稳步向前，一步一个脚印，厚积薄发。只有在各个产业链领域投入研发生产力量，积累更多的核心技术，才能迎来回报。相信国产芯片还能在更多的领域实现突破，也许是芯片设计，也许是芯片制造，就让我们拭目以待。
　　写在最后
　　芯片产业链非常庞大，从设计到制造，再到封装测试，每一个步骤领域都有各大供应链厂商在参与布局。但想要掌握自主可控的产业链技术，还需要继续往前走。
　　好的一面是许多产业链都在朝着预期的方向发展。也期待国产厂商能在人才领域加以关注，深耕核心技术，迈向未来。
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