中科院EUV光刻机新消息，结局基本清晰了

　　也许你现在用的电脑，所用芯片的工艺还是14纳米，但是现在的芯片制造工艺，已经推进到了3纳米。
　　而且，芯片工艺的推进速度，还没有看到减慢的迹象，例如台积电近日就宣布，其3纳米研发团队，开始向1。4纳米进发。
　　制造工艺这么先进的芯片，离不开精良的设备，也就是EUV光刻机，正如大家所了解的，我们还无法进口这款设备。
　　因此即使是5纳米芯片，大陆中企晶圆厂也无法进行实验性的量产。
　　很显然，如果要打破这样的局面，基本就是两个办法。
　　第一个，寄希望ASML可以获得授权，开放向我们供货，但是这个选择就显得太被动了，如果迟迟不开放，那岂不是我们永远都无法制造先进工艺的芯片了。
　　所以第二种办法更靠谱一些，也就是自主研发。
　　相信有的朋友还记得，在2020年的时候，中科院院长白崇礼曾经表示，将会解决一批卡脖子的问题，其中光刻机就赫然在列，当然，这里指的就是EUV光刻机。
　　当时不禁有网友表示，ASML研发EUV相关的技术有二十多年历史，我们则刚宣布要解决这个问题，是不是有点不太现实了。
　　那么真的如此吗？其实不然。
　　实际上，中科院早就开始了在EUV方面的技术研发，而ASML方面其实也传出消息，EUV光刻机的大门正在向中企打开了，结局已经基本清晰了。
　　可能很多朋友不知道，在某个科技领域要计划实现突破，甚至国产替代，不是马上组织实施，给资金、给团队、给资源等就可以解决的，这需要很多的积累，其中非常重要的就是专利积累。
　　这是因为，如果你没有申请到足够的专利，那么在以后的设备研发上，很可能你就会侵权。
　　ASML在光刻机领域已经很强大了吧，但是ASML依然需要在专利方面深耕，例如在2019年，ASML就向尼康支付了1。5亿欧元的专利诉讼和解费用。
　　在更早的2007年，ASML还与佳能进行了专利方面的交叉授权。
　　因此如果没有一定的专利积累，将会很难在这个领域立足。
　　而我们发现，中科院早在2002年就开始研发EUV方面的技术，并且已经申请了专利。
　　可以看到，在2002年6月24日，中科院光电院就申请了一项自适应全反射极紫外投影光刻物镜的专利。
　　在专利的摘要解析当中明确指出，该专利技术用于EUV光刻机当中。
　　但中科院的努力可不止这些，除了上面我们谈到的中科院光电院，还有中科院长光所、上光所、微电子所和高能物理研究所等。
　　其中已经申请的EUV专利上百项，就在今年的三月份，则刚刚公开了一项新的EUV专利，申请方为中科院上光所。
　　由此可见，在白院长2020年宣布要解决卡脖子的EUV光刻机时，其实中科院方面早就努力了至少18年的时间。
　　很显然，多年的专利积累，已经为我们实现EUV光刻机走向量产，做好了一条护城河。
　　而且我们也注意到，近年来，中科院方面开始面向所内外甚至国际上，招募EUV方面的人才。
　　这似乎表明，我们的EUV光刻机开始进入从实验室阶段向工厂阶段迈进，从理论阶段开始走向实践阶段了。
　　总之我们看到，中科院在EUV专利方面很有优势，剩下的工作主要就是将我们的理论变成现实，因为已经可以开始进行期待了，这也是为什么说，EUV光刻机的大门正在向中企打开。
　　那么大家认为，大概什么时候，我们的国产EUV光刻机可以到来呢？欢迎评论区留言、讨论、点赞和转发。